存储器 - Microchip(微芯半导体)产品
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串行EEPROM
Microchip提供最广泛的串行EEPROM器件（从128位到1兆位）在最宽的工作电压范围（1.7至5.5V）。 Microchip串行EEPROM兼容IC，SPI，MICROWIRE，以及新的单I / O UNI / O总线。 创新的封装，包括小型SOT-23和SC-70封装，Microchip提供了大量的选择-以及死期权。 随着Microchip的“三重测试流程创新的低功耗设计确保高性能和高品质，低成本。 现在的新开始你的设计 MPLAB串行存储器产品入门工具包 。
串行SRAM
需要更多的内存吗？ 从Microchip SPI兼容的串行SRAM器件可在64和256 Kbit的选项。 这些器件提供了低功耗的高速性能，使他们需要更多的RAM的嵌入式应用的理想选择。 该设备使用更少的引脚，用较少的接口连接和更小的封装，从而保证了更小的设计和更低的系统成本。
SST串行闪存
SST串行闪存，少即是肯定更多。 低引脚数意味着更少的空间，更小的印刷电路板，降低了系统成本和更低的功耗。 业界速度最快的擦写次数是指在生产过程中节约成本。 25系列SPI家庭的业界最低功耗的3.0V和1.8V产品之间的。 获奖的26系列的SQI家族提供了所有的小尺寸和低功耗优势的串行闪存的性能相媲美的并行闪存。 请参阅 SST生产吨 的全系列SST串行闪存产品 选型指南 。
SST Parall EL闪光
SST并行闪存系列基于SuperFlash耀术，具有高性能，高可靠性和低功耗的产品。 业界速度最快的擦写次数是指在生产过程中节约成本。 38和39系列：强积金（多用途闪存）的产品，包括强积金+和高级强积金+，提供快速的读取和编程功能，如Erase-Suspend/Erase-Resume，引导块，安全ID，硬件复位和提高保护的次功能。 请参阅 SST产品选择指南“ 为全系列SST并行闪存产品的。