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Microchip热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • 2N6661

  • 制造商:Microchip Technology
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET 90V 4Ohm
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-39-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:10 V
  • Id-连续漏极电流:350 mA
  • Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:6.25 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Bulk
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 类型:FET
  • 商标:Microchip Technology
  • 正向跨导 - 最小值:170 mS
  • 产品类型:MOSFET
  • 工厂包装数量:500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:10 ns
  • 典型接通延迟时间:10 ns
  • 单位重量:1.109 g

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