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TC2320TG-G相关型号
  • DSC6083CI1A-350K000T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -40C-85C, 50ppm, 3.2x2.5mm

  • DSC6001CI1A-016.9344T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -40C-85C, 50ppm, 3.2x2.5mm

  • DSC6011JE1A-020.0000T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -20C-70C, 50ppm, 2.5x2.0mm

  • DSC6001CI1A-011.2896T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -40C-85C, 50ppm, 3.2x2.5mm

  • DSC6001CI1A-016.3690T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -40C-85C, 50ppm, 3.2x2.5mm

  • DSC6051CE2A-003.0720T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -20C-70C, 25ppm, 3.2x2.5mm

  • DSC6053CE2A-003.0720T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -20C-70C, 25ppm, 3.2x2.5mm

  • DSC6011CI2A-007.3728T

    标准时钟振荡器 MEMS Oscillator, Ultra Low Power, LVCMOS, -40C-85C, 25ppm, 3.2x2.5mm

Microchip热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • TC2320TG-G

  • 制造商:Microchip Technology
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET N/P Ch 200 Volt
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,TC2320TG-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel, P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:200 V
  • Id-连续漏极电流:2 A
  • Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms, 12 Ohms
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.65 mm
  • 长度:4.9 mm
  • 产品:MOSFET Small Signal
  • 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
  • 宽度:3.9 mm
  • 商标:Microchip Technology
  • 下降时间:15 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:15 ns
  • 工厂包装数量:3300
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:25 ns, 20 ns
  • 典型接通延迟时间:20 ns, 10 ns
  • 单位重量:85 mg

其它信息

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