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TC6215TG-G相关型号
Microchip热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TC6215TG-G

  • 制造商：Microchip Technology
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N & P Channel Enhanc ement Dual MOSFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，TC6215TG-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOIC-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel, P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:150 V
  • Rds On-漏源导通电阻:4 Ohms, 7 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1 V, 2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.65 mm
  • 长度:4.9 mm
  • 产品:MOSFET Small Signal
  • 系列:TC621
  • 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
  • 类型:Enhancement Mode Dual Channel N & P
  • 宽度:3.8 mm
  • 商标:Microchip Technology
  • 下降时间:11.3 ns, 11.1 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:2.3 ns, 2.3 ns
  • 工厂包装数量:3300
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:17.2 ns, 16.2 ns
  • 典型接通延迟时间:2.5 ns, 2.4 ns
  • 单位重量:85 mg

其它信息

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