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TN0106N3-G-P003相关型号
Microchip热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TN0106N3-G-P003

  • 制造商：Microchip Technology
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，TN0106N3-G-P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:350 mA
  • Rds On-漏源导通电阻:4.5 Ohms
  • Vgs - 栅极-源极电压:2 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:Reel
  • 产品:MOSFET Small Signal
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:Microchip Technology
  • 下降时间:3 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:3 ns
  • 工厂包装数量:2000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:6 ns
  • 典型接通延迟时间:2 ns
  • 单位重量:453.600 mg

其它信息

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