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TP2635N3-G相关型号

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Microchip热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TP2635N3-G

  • 制造商：Microchip Technology
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 350V 15Ohm
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，TP2635N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:350 V
  • Id-连续漏极电流:180 mA
  • Rds On-漏源导通电阻:15 Ohms
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Bulk
  • 高度:5.33 mm
  • 长度:5.21 mm
  • 晶体管类型:1 P-Channel
  • 类型:FET
  • 宽度:4.19 mm
  • 商标:Microchip Technology
  • 下降时间:40 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:15 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:60 ns
  • 典型接通延迟时间:10 ns
  • 单位重量:453.600 mg

其它信息

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