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TN0106N3-G相关型号
  • PIC32MZ2048EFH144-250I/PL

    32位微控制器 - MCU 32 Bit MCU, FPU, 2MB Flash, 512KB RAM, 252MHz, 144Pin, USB-HS, ENET, CAN, SQI

  • PIC16F18325-I/P

    8位微控制器 -MCU 8-Bit MCU 14KB Flash 1KB RAM, 256B EE

  • PIC16F18876-I/PT

    8位微控制器 -MCU 28KB Flash, 2KB RAM, 256B EE, 10b ADC2, DAC, Comp, PWM, CWG, SMT, HLT, WWDT, SCAN/CRC, ZCD, PPS, EUSART, SPI/I2C, IDLE/DOZE/PMD

  • PIC16F18876-I/P

    8位微控制器 -MCU 8-Bit MCU 28KB Flash 2KB RAM 256B EE CIP

  • PIC16F18323-I/JQ

    8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 3.5KB Flash 256 RAM, 256 EEPROM

  • PIC32MM0016GPL028-I/SS

    32位微控制器 - MCU 16KB Flash, 4KB RAM, 79 CoreMark at 25MHz, Low Power microMIPS

  • PIC16F18345-E/SS

    8位微控制器 -MCU 8-Bit MCU 14KB Flash 1KB RAM, 256B EE

  • PIC16F18344-I/P

    8位微控制器 -MCU 8-Bit MCU, 7KB Flash 512B RAM, 256B EE

Microchip热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • TN0106N3-G

  • 制造商:Microchip Technology
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET 60V 3Ohm
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,TN0106N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Microchip
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-92-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:350 mA
  • Rds On-漏源导通电阻:3 Ohms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Bulk
  • 高度:5.33 mm
  • 长度:5.21 mm
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 类型:FET
  • 宽度:4.19 mm
  • 商标:Microchip Technology
  • 正向跨导 - 最小值:225 mS
  • 下降时间:3 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:3 ns
  • 工厂包装数量:1000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:6 ns
  • 典型接通延迟时间:2 ns
  • 单位重量:453.600 mg

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